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PD - 95503B
IRF5804PbF
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
V DSS
-40V
R DS(on) max (m W)
198@V GS = -10V
334@V GS = -4.5V
I D
-2.5A
-2.0A
l
l
l
Low Gate Charge
Lead-Free
Halogen-Free
Description
These P-channel HEXFET ? Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit provides the designer
with an extremely efficient device for use in battery and
load management applications.
D
D
G
1
2
3
Top View
6
5
4
A
D
D
S
TSOP-6
The TSOP-6 package with its customized leadframe
produces a HEXFET ? power MOSFET with R DS(on)
60% less than a similar size SOT-23. This package is
ideal for applications where printed circuit board space
is at a premium. It's unique thermal design and R DS(on)
reduction enables a current-handling increase of nearly
300% compared to the SOT-23.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
-40
-2.5
-2.0
-10
2.0
1.3
0.016
± 20
-55 to + 150
V
A
W
mW/°C
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
62.5
°C/W
1
04/20/10
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